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功率二极管这15个知识点你必须知道!

发布者:admin  发布时间:2020-05-22   【

文章摘要: 二极管的额定电流是二极管的紧要标称值,好比5A/100V的二极管,5A即是额定电流。通俗额定电流的界说是该二极管所能通过的额定均匀电流。不过有些的测试前是方波,也即是可能通过

  二极管的额定电流是二极管的紧要标称值,好比5A/100V的二极管,5A即是额定电流。通俗额定电流的界说是该二极管所能通过的额定均匀电流。不过有些的测试前是方波,也即是可能通过均匀值为5A的方波电流。有些得测试条件是直流,也即是能通过5A的直流电流。外面上来说,对付硅二极管,以方波为测试前提的二极管能通过更大的直流电流,由于同样均匀电流的方波较于直流电流,会给二极管带来更大损耗。那么5A的二极管是否必定能通过5A的电流?不必定,这个和温度相合,当你的散热前提不敷够好,那么二极管能通过的电流会被结温节制。

  二极管反向截止时,可能秉承必定的反压,那么其最 高可秉承的反压即是额定电压。好比5A/100V的二极管,其额定反压即是100V。固然,全盘二极管厂家城市留必定的裕量,100V的二极管通俗用到110V都不会有题目,不过不创议这么用,由于横跨额定值,厂家就不会保障其牢靠性,出了题目即是你的题目了。并且许众电源计划公司,为了保护牢靠性,还会降额计划。

  开合电源正在开机或者其他瞬态情形下,须要二极管可以秉承很大的进攻电流而不坏,当然这种进攻电流应当是不反复性,或者间隔期间很长的。通俗二极管的数据手册都有界说这个进攻电流,其测试前提往往是单个波形的进攻电流,好比单个正弦波,或者方波。其电流值往往可达几百。

  二极管正在正指引通,流过电流的工夫会形成压降。这个压降和正向电流以及温度相合。通俗硅二极管,电流越大,压降越大。温度越高,压降越小。不过碳化硅二极管却是温度越高,压降越大。

  二极管正在反向截止的工夫,并不是统统理思的截止。正在秉承反压得工夫,会有些微细的电流从阴极漏到阳极。这个电流畅俗很小,并且反压越高,泄电流越大,温度越高,泄电流越大。大的泄电流会带来较大的损耗,异常正在高压使用场地。

  这个是二极管的苛重目标,所谓的速复原,慢复原二极管即是以此为模范。二极管正在从正偏转换到反偏的工夫,会展示较大的反向复原电流从阴极流朝阳极,其反向电流先上升到峰值,然后降低到零。那么其上起落低的期间即是反向复原期间,峰值电流即是反向复原电流。这个正在高频率的使用中会带来很大损耗。而反向复原期间和电流和二极管截止时,正向电流的降低速度正合联。处分这个题目,一即是用复原期间更速的二极管,二是采用ZCS形式合断二极管。

  二极管正在反向复原的工夫,反向电流降低的比拟慢的,称为软复原二极管。软复原对减小EMI有必定的好处。

  对付二极管的瞬态进程,通俗亲切比拟众的是反向复原性子。不过本来二极管从反偏转为正指引通的进程也有值得预防的地方。正在二极管刚导通的工夫,正向压降会先上升到一个最大值,然后才会降低到稳态值。而这个最大值,随di/dt的增大而增大。也即是说二极管带导通倏得会形成一个正向尖峰电压,并且电压要大于稳态电压。速复原管的这个正向尖峰电压比拟小,慢复原管就会很紧要。这个就引出了其余一个题目:

  RCD电道常用于少少须要钳位的场地,好比flyback原边MOS的电压钳位,次级整流管的电压钳位。有些手艺文献说应当用慢复原管,因由是慢复原管因为其反向复原期间比拟长,如此钳位电容中的一个别能量会正在二极管反向复原进程中回馈给电道,如此所有RCD电道的损耗可能低落。但是这个只适合小电流,低di/dt的场地。好比小功率flyback的原边钳位电道。不过不适合大电流,高di/dt的钳位场地,好比大电流输出的电源的次级钳位电道。由于,慢复原管正在导通的工夫会形成很高导通压降尖峰,导致固然钳位电容上的电压很低,不过却没法钳住尖峰电压。因而应当采取肖特基二极管之类。

  肖特基二极管是一种欺骗肖特基势垒工艺的二极管,和普遍的PN结二极管比拟,其好处:更速的反向复原期间,许众称之为0反向复原期间。固然并不是线反向复原期间,不过相对普遍二极管要速绝顶众。其坏处:反向泄电流比拟大,因而没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管,根基都是200V以下的。固然有些公司可能供给高压的肖特基硅二极管,不过也是将几个二极管串联之后封装正在一同。当然也有公司称有特别的工艺,可能创制高压肖特基二极管,但并不晓得是什么样的工艺。

  通俗专家所用的根基都是以硅为原料的二极管,不过近来比拟热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常睹的众为高压的肖特基碳化硅二极管,其好处:反向复原性子很好,媲美肖特基硅二极管。不过可能做高压的二极管。正在PFC中已有较众使用。坏处:正指引通压降比拟大。另有一点与硅二极管分别的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管,另有可秉承进攻电流小,牢靠性不上等坏处。不过目前已有很大改进。

  说真话,我外传砷化镓资料早于碳化硅,不过厥后就较少外传了。目前砷化镓正在LED上犹如有些使用,不过功率器件上却还比拟少。

  外面上来说硅二极管,因为导通压降随温度上升而降低,因而是不适归并联的,不过现正在许众二极管会把两个单管封装正在一同,如此温升相对匀称,给并联带来好处。不过碳化硅是的压降是随温度上升而上升,外面上是适归并联的。

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